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    從PCB制造到組裝一站式服務(wù)

    鋁基板的導(dǎo)熱性能是如何實(shí)現(xiàn)的?

    2025
    05/22
    本篇文章來(lái)自
    捷多邦

    鋁基板在LED照明、電源模塊、汽車電子等領(lǐng)域廣泛應(yīng)用,其核心優(yōu)勢(shì)在于出色的導(dǎo)熱性能。相比傳統(tǒng)的FR-4板材,鋁基板能更有效地將熱量從器件處轉(zhuǎn)移到散熱結(jié)構(gòu),從而提升系統(tǒng)可靠性與使用壽命。本文聚焦鋁基板導(dǎo)熱性能的實(shí)現(xiàn)機(jī)制、設(shè)計(jì)要點(diǎn)與行業(yè)發(fā)展趨勢(shì)。

     

    一、導(dǎo)熱路徑的基本構(gòu)成

    鋁基板主要由三層結(jié)構(gòu)組成:電路層(銅箔)、絕緣層(導(dǎo)熱介質(zhì))和金屬基底(鋁板)。熱量從器件經(jīng)過(guò)銅箔傳遞至絕緣層,隨后再傳導(dǎo)至鋁基底,并通過(guò)散熱片或外殼進(jìn)一步釋放。 

    電路層負(fù)責(zé)信號(hào)傳輸,同時(shí)承載部分熱量。

    絕緣層是關(guān)鍵導(dǎo)熱通道,決定整體熱阻。

    鋁基底提供熱擴(kuò)散路徑與機(jī)械強(qiáng)度支持。

     

    二、設(shè)計(jì)經(jīng)驗(yàn)與優(yōu)化要點(diǎn)

    導(dǎo)熱絕緣層厚度控制

    絕緣層一般為50150μm。層越薄,導(dǎo)熱路徑越短,熱阻越低,但也帶來(lái)耐壓下降與工藝難度增加的問(wèn)題。工程上常在耐壓要求和導(dǎo)熱效率之間權(quán)衡。 

    選擇高導(dǎo)熱系數(shù)材料

    優(yōu)質(zhì)導(dǎo)熱介質(zhì)的導(dǎo)熱系數(shù)可達(dá)310 W/m·K以上。常用材料包括陶瓷填充環(huán)氧樹(shù)脂或硅樹(shù)脂,需保證兼顧熱性能與電氣絕緣性。 

    熱擴(kuò)散結(jié)構(gòu)優(yōu)化

    在高功率區(qū)域,通過(guò)擴(kuò)大銅箔面積、增加熱通孔、引入熱墊(thermal vias)等方式提升熱擴(kuò)散能力。

     

    三、技術(shù)難點(diǎn)解析

    -電耦合設(shè)計(jì)難度高

    鋁基板在導(dǎo)熱設(shè)計(jì)時(shí)需同時(shí)考慮電氣走線和熱流路徑,往往存在空間與功能沖突。多層金屬基板(如IMPCB)被提出以分離電氣與熱設(shè)計(jì),但成本較高。 

    可靠性評(píng)估復(fù)雜

    不同導(dǎo)熱層材料在高溫高濕等環(huán)境下可能出現(xiàn)介質(zhì)擊穿、熱老化等問(wèn)題。需要通過(guò)嚴(yán)格的熱循環(huán)與高加速壽命測(cè)試驗(yàn)證材料穩(wěn)定性。 

    工藝控制要求高

    導(dǎo)熱層的均勻性、壓合質(zhì)量及界面附著力直接影響熱傳導(dǎo)效率。真空壓合技術(shù)、界面活性劑應(yīng)用是提高熱傳導(dǎo)一致性的關(guān)鍵工藝環(huán)節(jié)。

     

    四、行業(yè)趨勢(shì)觀察

    向高導(dǎo)熱、高絕緣材料發(fā)展

    隨著功率密度不斷提高,傳統(tǒng)填充型介質(zhì)難以滿足要求。陶瓷薄膜(如氮化鋁、氧化鈹)等新型高導(dǎo)熱絕緣材料正在進(jìn)入實(shí)用階段。 

    多層/復(fù)合金屬基板的應(yīng)用增長(zhǎng)

    為實(shí)現(xiàn)復(fù)雜電路設(shè)計(jì)與更優(yōu)散熱,復(fù)合結(jié)構(gòu)(如銅-鋁復(fù)合基板、雙面鋁基板)越來(lái)越多地應(yīng)用于新能源汽車和通信模塊。 

    熱模擬與集成設(shè)計(jì)被重視

    借助熱仿真工具進(jìn)行熱網(wǎng)絡(luò)建模,成為優(yōu)化設(shè)計(jì)效率和保障性能的關(guān)鍵手段。EDA廠商也開(kāi)始支持熱-電協(xié)同設(shè)計(jì)。

     

    鋁基板憑借其結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單、導(dǎo)熱性能強(qiáng)、機(jī)械強(qiáng)度高的優(yōu)勢(shì),仍將是熱敏電子產(chǎn)品的重要基材。未來(lái),在新材料與先進(jìn)封裝推動(dòng)下,其在高功率密度、小型化系統(tǒng)中的應(yīng)用潛力將持續(xù)擴(kuò)大。


    the end